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        深圳市重投天科半導體有限公司
        導電型4H-SiC襯底晶片
        導電型4H-SiC襯底晶片
        晶片尺寸:4~6英寸
        晶片厚度:350 μm ± 15 μm
        電阻率:0.015~0.024 Ω·cm
        產品用途:產品主要于制造SiC電力電子
        器件及SiC襯底上GaN光電子器件。
        導電型4H-SiC外延晶片
        導電型4H-SiC晶體
        晶體尺寸:4~6英寸
        電阻率:0.015~0.024 Ω·cm